安森美半导体发布新的650 v碳化硅 (sic) mosfet-世界杯体育平台
 
 
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安森美半导体发布新的650 v碳化硅 (sic) mosfet-世界杯体育平台

2021年2月18日              
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    2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 (on semiconductor,美国纳斯达克上市代号:on),发布一系列新的碳化硅 (sic) mosfet器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的sic器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(ev)车载充电器(obc)、太阳能逆变器、服务器电源(psu)、电信和不间断电源(ups)等应用中实现显著更好的性能。

    安森美半导体新的车规aecq101和工业级合格的650伏(v) sic mosfet基于一种新的宽禁带材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁干扰(emi)、系统尺寸和重量。

    新一代sic mosfet采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 v击穿电压实现同类最佳的品质因数rsp (rdson * area)。nvbg015n065sc1、ntbg015n065sc1、nvh4l015n065sc1和nth4l015n065sc1采用d2pak7l和to247封装,具有市场最低的rdson (12 mohm)。 这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

    安森美半导体先进电源分部高级副总裁asif jakwani在发布新品时说:“在现代电源应用中,如电动汽车(ev)车载充电器(obc)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用, 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的sic mosfet比同等的硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(emi)。使用这些新的sic mosfet的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”

    新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括to247和d2pak。

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